功率半導體芯片產品開發工程師(IGBT/MOS/FRD)
職位信息
負責IGBT、MOSFET、FRD等產品的設計開發:
1、負責器件設計和工藝仿真;
2、負責版圖設計,工藝流程制定;
3、負責與代工廠接口溝通流片相關事宜;
4、制定參數測試規范,分析測試數據;
5、優化設計和工藝方案,提高產品性能及良率;
6、制定可靠性考核方案,負責產品失效分析;
7、配合其他部門解決用戶反饋的技術問題。
任職資格:
1、微電子相關專業,碩士以上學歷,具有扎實的半導體物理、半導體器件和功率半導體的理論基礎;
2、熟練掌握功率半導體設計開發和工藝流程;
3、具備IGBT/MOS/FRD/SIC等任意一種產品成功開發經驗者優先;
4、熟練掌握半導體工藝和器件仿真軟件(如Sentaurus),熟悉版圖設計者優先;
5、具有較強的團隊合作意識和工作責任心,具備良好的邏輯分析能力、溝通能力和承壓能力,為人正直、誠信;
6、良好的英語說寫能力。